产品定位
随着 3C 电子产品小型化、SiP 先进封装普及，100μm 以下超薄晶圆减薄、背面精磨、CMP 后研磨已成为半导体核心工艺。嘉宝晶圆砂轮针对硅、碳化硅、氮化镓硬脆晶圆开发，兼容迪斯科、冈本、爱德科等主流磨片机。为功率器件、射频芯片、MEMS 器件提供厚度可控、损伤层极低、一致性优异的量产磨削方案。
产品核心优势
- 精准厚度与 TTV 控制
磨料分布均匀，连续磨削状态下去除率波动极小，稳定保障晶圆厚度均一性，降低后段抛光、蚀刻工序的加工压力。
- 低划伤、抑制崩边
经过优化的专用树脂 / 陶瓷结合剂配方，牢牢把持磨粒，不易发生大规模掉砂，大幅减少晶圆表面划伤与边缘破损，提升成品良率。
- 适配各类半导体硬脆材料
兼容硅、碳化硅、氮化镓晶圆，兼顾粗磨高去除效率与精磨镜面效果，非常适合高端新能源功率器件、射频高频芯片。
- 量产性能稳定
长时间连续作业磨削负载波动平缓，砂轮修整频次低，适用于工厂 7×24 小时产线，提升设备日产能。
- 多段工艺匹配
Z1 粗磨、Z2 精磨两大粒度系列，覆盖大余量粗磨、镜面精加工、超精细抛光；客户可依据目标粗糙度 Ra 选择对应规格。
适用磨削工序
- 硅晶圆背面减薄磨削
- 碳化硅 / 氮化镓功率晶圆粗磨与镜面精磨
- CMP 后精密研磨工序
- MEMS 与射频芯片超薄晶圆加工
- SiP 先进封装晶圆减薄
标准规格参数
| 磨料种类 | 粒度范围 | 硬度等级 | 浓度 | 结合剂类型 | 标准型面 |
| SD / SDC | #320 ~ #15000 | N | 50 / 75 / 100 / 125 | B / V / M | 2A2S / 2A7S |
常用晶圆尺寸：8 英寸 (203mm)、10 英寸 (250mm)、12 英寸 (300/303mm)
适配设备：迪斯科、冈本、爱德科晶圆磨片机
客户实测案例
| 分类 | 项目 | 原厂砂轮 | 嘉宝晶圆砂轮 |
|---|---|---|---|
| 基础条件 | 砂轮规格 | — | 300D × 4W × 5X |
| 加工工件 | 12 英寸硅晶圆 | 12 英寸硅晶圆 | |
| 机床型号 | Disco DAG810 | Disco DAG810 | |
| 工艺参数 | 主轴转速 | 2400 / 240 rpm | 2400 / 240 rpm |
| 进给速度 | 3.0 / 2.5 / 1.0 μm/s | 3.0 / 2.5 / 1.0 μm/s | |
| 测试结果 | 磨削负载 | 14.6 A | 14.7 A（相当） |
| 平均粗糙度 Ra | 0.22 | 0.18（更优） | |
| 磨耗比 (工件 / 砂轮) | — | 200 | |
| 表面划伤 | 可见细微划痕 | 无可见细微划痕 | |
| 表面品质 | 标准 | 显著更优 |
测试结论： 同等工艺参数条件下，嘉宝砂轮磨削负载与原厂相当，粗糙度 Ra 更低、磨耗比更高、表面无划痕，综合磨削性能更优异。
定制服务说明
可定制外径、厚度、内孔、粒度、磨料浓度以及特殊砂轮外形。针对特殊材料超薄晶圆、高粗糙度指标、小众进口磨片机，可提供试样磨削测试，提供专属工艺方案与报价。
工艺选型提示
Z1 粗磨粒度（#320‑#6000）侧重大余量快速去除，降低边缘损伤；Z2 精磨粒度（#8000‑#15000‑S）实现镜面效果，抑制晶圆翘曲，减小亚表面损伤层。建议根据晶圆磨削余量、目标 Ra、设备负载阈值，搭配粗磨 + 精磨砂轮组使用。
